Mã HS nhóm 8541 – Thiết bị bán dẫn (ví dụ, đi-ốt, bóng bán dẫn (tranzito), bộ chuyển đổi dựa trên chất bán dẫn); thiết bị bán dẫn cảm quang, kể cả tế bào quang điện đã hoặc chưa lắp ráp thành các mảng mô-đun hoặc thành bảng; đi-ốt phát quang (LED), đã hoặc chưa lắp ráp với đi-ốt phát quang (LED) khác; tinh thể áp điện đã lắp ráp

85.41 - Thiết bị bán dẫn (ví dụ đi-ốt, bóng bán dẫn (tranzito), bộ chuyển đổi dựa trên chất bán dẫn tương tự; thiết bị bán dẫn cảm quang, kể cả tế bào quang điện đã hoặc chưa lắp ráp thành các mảng module hoặc thành bảng; đi-ốt phát quang (LED), đã hoặc chưa lắp ráp với đi-ốt phát quang (LED) khác; tinh thể áp điện đã lắp ráp (+).

8541.10 - Đi-ốt, trừ đi-ốt cảm quang hay đi-ốt phát quang

- Tranzito, trừ tranzito cảm quang:

8541.21 - - Có tỷ lệ tiêu tán năng lượng dưới 1 W

8541.29 - - Loại khác

8541.30 - Thyristors, diacs và triacs, trừ thiết bị cảm quang

- Thiết bị bán dẫn cảm quang, kể cả tế bào quang điện đã hoặc chưa lắp ráp thành các mảng module hoặc thành bảng; đi-ốt phát quang (LED):

8541.41 - - Đi-ốt phát quang (LED)

8541.42 - - Tế bào quang điện chưa lắp ráp thành các mảng mô-đun hoặc thành bảng

8541.43 - - Tế bào quang điện đã lắp ráp thành các mảng mô-đun hoặc thành bảng

8541.49 - - Loại khác

- Thiết bị bán dẫn khác:

8541.51 - - Thiết bị chuyển đổi dựa trên chất bán dẫn

8541.59 - - Loại khác

8541.60 - Tinh thể áp điện đã lắp ráp

8541.90 - Bộ phận

(A) THIẾT BỊ BÁN DẪN (VÍ DỤ ĐI-ỐT, TRANZITO, CÁC THIẾT BỊ CHUYỂN ĐỔI DỰA TRÊN CHẤT BÁN DẪN Chúng được định nghĩa ở Chú giải 8 (a) của Chương này. Hoạt động của các thiết bị thuộc nhóm này dựa trên các đặc tính điện tử của một số vật liệu “bán dẫn” nhất định hoặc, đối với mục đích của các thiết bị chuyển đổi dựa trên chất bán dẫn, dựa trên các đặc tính bán dẫn của chúng bao gồm đặc tính vật lý (ví dụ: cơ, nhiệt), điện, quang và hóa học. Đặc điểm chính của các vật liệu này là ở nhiệt độ phòng thì điện trở động của chúng nằm trong phạm vi giữa điện trở của vật dẫn (kim loại) và điện trở của vật liệu cách điện. Lấy ví dụ, chúng bao gồm những quặng cụ thể (như galen tinh thể), các nguyên tố hoá học có hoá trị 4 (gecmani, silic, v.v...) hoặc hợp chất của các nguyên tố hoá học (ví dụ, các nguyên tố hoá trị 3 và hoá trị 5, chẳng hạn asenua gali, antimonua indi). Các vật liệu bán dẫn gồm một nguyên tố hoá học hoá trị 4 thường là đơn tinh thể. Chúng không được dùng ở trạng thái nguyên chất, nhưng thường sau khi được kích thích nhẹ (tỷ lệ với phần triệu) với mức độ “không tinh khiết” nào đó (tạp chất). Đối với nguyên tố hoá trị 4, độ "không tinh khiết" có thể do nguyên tố hoá học hoá trị 5 (phốt pho, asen, antimon, v.v...), hoặc một nguyên tố hoá trị 3 (bo, nhôm, gali, indi, v.v...). Trong trường hợp thứ nhất, người ta có được bán dẫn kiểu n, có đặc điểm là dư thừa điện tử (tích điện âm); trong trường hợp thứ hai, tạo thành một bán dẫn kiểu p, có đặc điểm là thiếu điện tử, nghĩa là có nhiều các lỗ trống hơn (tích điện dương). Các chất bán dẫn kết hợp với các nguyên tố hoá học hoá trị 3 và các nguyên tố hoá học hoá trị 5 cũng được pha tạp. Đối với các chất bán dẫn được tạo ra từ một số quặng, độ không tinh khiết được chứa một cách tự nhiên trong quặng thì đóng vai trò như tạp chất. Các linh kiện bán dẫn của nhóm này thông thường bao gồm một hoặc nhiều “lớp tiếp giáp” giữa các chất bán dẫn kiểu p và kiểu n. Chúng bao gồm:

(I) Các đi-ốt là loại linh kiện có 2 đầu nối với một lớp tiếp giáp p-n; chúng cho dòng điện đi theo một hướng (thuận) nhưng có điện trở rất lớn theo hướng ngược lại (ngược). Chúng thường dùng để dò, chỉnh lưu, đóng ngắt, v.v..... Các loại đi-ốt chính là đi-ốt tín hiệu, điốt chỉnh lưu công suất, đi-ốt điều điện áp chuẩn, đi-ốt ổn áp.

(II) Tranzito là các linh kiện có 3 hoặc 4 cực, có khả năng khuyếch đại, dao động, chuyển đổi tần số, hoặc đóng ngắt mạch điện. Hoạt động của tranzito phụ thuộc vào sự thay đổi điện trở động giữa hai cực bằng cách đưa một trường điện vào cực thứ 3. Tín hiệu hoặc trường điều khiển đưa vào yếu hơn các kết quả tác động bởi sự thay đổi trở kháng và do đó dẫn đến sự khuyếch đại. Tranzito bao gồm các loại sau:

(1) Tranzito lưỡng cực, thuộc loại linh kiện 3 cực, có hai lớp tiếp giáp kiểu đi-ốt, và hoạt động của tranzito phụ thuộc cả vào các phần tử mang điện tích dương và âm (do đó gọi là lưỡng cực).

(2) Tranzito hiệu ứng trường (cũng được gọi là linh kiện bán dẫn oxít kim loại (MOS)), có thể có hoặc không có lớp tiếp giáp, nhưng nó phụ thuộc vào khả năng làm nghèo (hoặc làm giàu) các phần tử mang điện tích sẵn có giữa hai cực. Trong tranzito hiệu ứng trường, hoạt động của nó chỉ phụ thuộc vào một phần tử mang điện tích (do đó gọi là đơn cực). Một thân diode ký sinh, được tạo ra trong một tranzito loại MOS (còn được gọi là MOSFET), có thể hoạt động như một diode quay tự do trong quá trình chuyển tải mạch cảm ứng. MOSFET mà có 4 cực được gọi là ống 4 cực.

(3) Tranzito lưỡng cực có cổng cách ly (IGBT IGBT), là thiết bị ba cực bao gồm một cực cổng và hai cực tải (cực phát và cực thu). Bằng cách áp điện áp thích hợp trên cực cổng và cực phát, dòng điện theo một chiều có thể được kiểm soát, tức là được bật và được tắt. Chip IGBT có thể được kết hợp với các điốt trong một thiết bị duy nhất (thiết bị IGBT kết hợp), giúp bảo vệ thiết bị IGBT và cho phép nó tiếp tục hoạt động như một tranzito.

(III) Thiết bị chuyển đổi dựa trên chất bán dẫn Như đã nêu trong Chú giải 12 (a) (i) của Chương này, đây là những thiết bị trong đó vật liệu hoặc nền bán dẫn đóng vai trò quan trọng và không thể thay thế trong việc thực hiện chức năng của chúng là chuyển đổi bất kỳ loại hiện tượng vật lý hoặc hóa học nào hoặc hoạt động nào thành tín hiệu điện, hoặc tín hiệu điện thành bất kỳ loại hiện tượng vật lý hoặc hoạt động nào. Các thiết bị chuyển đổi dựa trên chất bán dẫn có đặc tính của một sản phẩm kỹ thuật độc lập, và có thể được trình bày dưới dạng sản phẩm khuôn trần hoặc đã được đóng gói. Các thành phần tạo thành bộ chuyển đổi dựa trên chất bán dẫn, bao gồm các thành phần chủ động hoặc thụ động riêng biệt được gắn không thể tách rời để tạo nên cấu trúc hoặc chức năng của chúng, phải được kết hợp hầu như không thể tách rời, tức là, mặc dù về mặt lý thuyết, một số thành phần có thể được loại bỏ và thay thế, điều này sẽ không có hiệu quả kinh tế như trong điều kiện sản xuất bình thường. Các thành phần dựa trên chất không phải là chất bán dẫn mà không đóng vai trò chính trong bộ chuyển đổi được phép trở thành một phần của bộ chuyển đổi trong các tình huống khi chúng đóng góp vào chức năng của bộ chuyển đổi như một cảm biến, bộ truyền động, bộ cộng hưởng hoặc bộ tạo dao động. Các ví dụ điển hình, nhưng không giới hạn, về các thành phần như vậy là:

(i) gói, thường bao gồm các dây kim loại để kết nối với nhau (kết nối dây bên trong hoặc bên ngoài), khung chì, vỏ bọc, nền,..; hoặc

(ii) các thành phần cho phép hoặc hỗ trợ chức năng như nam châm, bộ phận quang học,... Thuật ngữ “dựa trên chất bán dẫn” cũng bao gồm các phần tử trong đó vật liệu bán dẫn cung cấp chức năng cho bộ chuyển đổi nhờ các đặc tính của nó, không phải chỉ bao gồm riêng chất bán dẫn. Các đặc tính như vậy có thể bao gồm độ bền cơ học, tính linh hoạt, độ dẫn nhiệt, độ phản xạ quang học, độ bền hóa,..., kết hợp với khả năng được sản xuất với độ chính xác cao trên quy mô micromet bằng cách sử dụng công nghệ bán dẫn (gia công vi mô). Các phần tử như vậy có thể bao gồm, ví dụ, màng, thanh, giá đỡ, khoang, gương, rãnh,.., cho phép bộ chuyển đổi hoạt động theo độ dày hoặc tính linh hoạt đàn hồi). Các vật liệu được sử dụng trong các thiết bị chuyển đổi dựa trên chất bán dẫn bao gồm ví dụ: Silicon (Si), Germanium (Ge), Carbon (C), Silicon Germanium (SiGe), Silicon Carbide (SiC), Gallium Nitride (GaN), Gallium Arsenide (GaAs), Indium Gallium Arsenide InGaAs, Gallium Phosphide (Gap), Indium Phosphide (InP), Thiếc Telluride (SnTe), Zinc Oxide

(ZnO) và Gallium Oxide (Ga2O3). Khái niệm “được sản xuất bằng công nghệ bán dẫn” có nghĩa là ứng dụng của việc xử lý vùng ở cấp độ tấm bán dẫn có thể bao gồm mài, đánh bóng, pha tạp, phủ quay, tạo ảnh, CVD, PVD, mạ điện, tráng men, tước, khắc, nung, in.

(1) Cảm biến dựa trên chất bán dẫn, được đinh nghĩa tại Chú giải 12 (a) (i) (3). Một ví dụ về cảm biến là phần tử Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS) được sử dụng trong micrô silic làm cảm biến âm thanh dựa trên chất bán dẫn. Phần tử MEMS được tạo thành từ một tấm ốp cứng được đục lỗ và một màng linh hoạt trên đế silic, chức năng của nó là chuyển đổi sóng âm thanh thành đầu ra điện thay đổi (variable electrical output). Sóng âm là đại lượng vật lý tác động lên màng và khiến nó rung động qua đó tạo ra dòng điện khác nhau. Một loại cảm biến khác là cảm biến khí, sử dụng sự hấp phụ của các chất cho/nhận điện tử để thay đổi điện trở trong graphene với diện tích bề mặt cực cao.

(2) Cơ cấu chấp hành dựa trên chất bán dẫn, được định nghĩa tại Chú giải 12 (a)

(i) (4), ví dụ, các gương Hệ thống vi cơ điện tử (MEMS) được kích hoạt bằng nhiệt điện, thường được sử dụng để làm chệch hướng chùm tia laze trong nhiều ứng dụng, chẳng hạn như chuyển mạch quang từ sợi quang sang sợi quang, máy chiếu laser, Phát hiện và đo khoảng cách ánh sáng (LIDAR) trong lái xe tự động, theo dõi bằng laser và đo vị trí, v.v. Gương được kích hoạt bằng nhiệt điện được di chuyển bởi các bộ phận làm nóng, hoạt động trên các cấu trúc dựa trên chất bán dẫn có độ giãn nở nhiệt khác nhau.

(3) Thiết bị cộng hưởng dựa trên chất bán dẫn, được định nghĩa trong Chú thích 12 (a) (i) (5), ví dụ, bộ cộng hưởng sóng âm thanh màng (FBAR), được sử dụng trong công nghệ RF để ghép kênh hoặc chọn kênh trong các thiết bị không dây.

(4) Thiết bị đao động dựa trên chất bán dẫn, được định nghĩa trong Chú giải 12 (a)

(i) (6), chuyển đổi các hiện tượng vật lý (năng lượng được lưu trữ của trường điện từ bên trong bộ cộng hưởng) thành tín hiệu điện (điện áp đầu ra có tần số tùy thuộc vào điện áp điều chỉnh).

(IV) Các linh kiện bán dẫn khác. Chúng bao gồm:

(1) Thyristors, là loại linh kiện có 4 vùng dẫn bằng vật liệu bán dẫn (có 3 hoặc nhiều hơn 3 lớp tiếp giáp p-n), qua đó sẽ có dòng một chiều đi theo chiều xác định trước khi có một xung điều khiển cho phép dẫn. Chúng được sử dụng như là chỉnh lưu có điều khiển, đóng cắt hoặc khuyếch đại và có chức năng như 2 tranzito bù kiểu khoá chéo với lớp tiếp giáp góp/nền chung.

(2) Triacs (các thysisto 3 cực hai hướng) gồm 5 vùng dẫn bằng vật liệu bán dẫn (4 lớp tiếp giáp p-n), qua đó có dòng xoay chiều đi qua khi có xung điều khiển cho phép dẫn.

(3) Diacs, gồm 3 vùng dẫn bằng vật liệu bán dẫn (2 lớp tiếp giáp p-n) và được dùng để cung cấp các xung điều khiển triac.

(4) Varactors (hoặc đi-ốt dung kháng thay đổi).

(5) Các linh kiện có hiệu ứng trường, như các griditors.

(6) Các thiết bị có hiệu ứng "Gunn". Tuy nhiên, nhóm này không bao gồm các linh kiện bán dẫn khác với các linh kiện bán dẫn mô tả trên, hoạt động của chúng phụ thuộc chủ yếu vào nhiệt độ, áp suất, v.v..., chẳng hạn như các điện trở bán dẫn phi tuyến (thermistors, varistors, điện trở từ, v.v...) (nhóm 85.33). Về các linh kiện cảm quang hoạt động phụ thuộc tác động của các tia sáng (đi-ốt quang điện, v.v...), xem nhóm (B). Các linh kiện mô tả ở trên thuộc nhóm này hoặc được hiện diện ở dạng đã gắn với các cực hoặc các chân (ví dụ, ghim, dây dẫn, quả bóng, miếng đất, miếng đệm hoặc miếng đệm được gắn trên giá đỡ, ví dụ, chất nền hoặc khung chì) hoặc bọc (thành phần), chưa gắn (các phần tử) hoặc thậm chí dưới dạng các đĩa nguyên (tấm mỏng). Tuy nhiên, vật liệu bán dẫn tự nhiên (ví dụ, galen) được xếp vào nhóm này chỉ khi chúng đã được gắn trong linh kiện bán dẫn. Tuy nhiên, các bộ chuyển đổi dựa trên chất bán dẫn thuộc nhóm này không bao gồm các cảm biến, bộ dẫn động, bộ cộng hưởng, bộ tạo dao động và tổ hợp chúng dựa trên silic, chứa một hoặc nhiều mạch tích hợp nguyên khối, lai, đa chip hoặc đa thành phần như được định nghĩa trong Chú giải 12 (b) (iv) (3) của Chương này (nhóm 85.42). Nhóm này cũng loại trừ:

(a) Các nguyên tố hóa học (ví dụ, silic và selen) đã được kích tạp để sử dụng trong điện tử, ở dạng không gia công như kéo, hoặc ở dạng hình trụ hoặc dạng thanh (Chương 28), khi được cắt ở dạng đĩa, tấm mỏng hoặc các dạng tương tự (nhóm 38.18).

(b) Các hợp chất hóa học như cadimi selenua và sulphua, indi arsenua,.., có chứa một số chất phụ gia nhất định (ví dụ, germani, iốt) thường ở tỷ lệ vài phần trăm, nhằm mục đích sử dụng chúng trong điện tử, dù trong dạng hình trụ, thanh,.., hoặc cắt thành đĩa, tấm mỏng hoặc các dạng tương tự (nhóm 38.18).

(c) Các tinh thể được kích tạp dùng trong điện tử, dưới dạng đĩa, tấm mỏng, hoặc các dạng tương tự, được đánh bóng hoặc không, có phủ hoặc không phủ lớp epitaxy đồng nhất, với điều kiện chúng không được pha trộn có chọn lọc hoặc khuếch tán để tạo ra vùng riêng biệt (nhóm 38.18).

(d) Mạch điện tử tích hợp (nhóm 85.42).

(B) CÁC LINH KIỆN BÁN DẪN CẢM QUANG Nhóm này bao gồm các linh kiện bán dẫn cảm quang trong đó dưới sự tác động của tia sáng trông thấy được, tia hồng ngoại hay tia cực tím tạo ra sự thay đổi trong điện trở suất hoặc làm xuất hiện sức điện động nhờ hiệu ứng quang điện bên trong. Các ống điện tử phát quang (tế bào phát quang), hoạt động của chúng dựa trên hiệu ứng quang điện bên ngoài (sự xạ quang), thuộc nhóm 85.40. Các kiểu thiết bị bán dẫn cảm quang chính là:

(1) Các tế bào quang dẫn (quang điện trở), thường gồm hai điện cực ở giữa là một chất bán dẫn (sunfua cadimi, sunfua chì, v.v...) mà trở kháng của chúng thay đổi theo cường độ ánh sáng chiếu vào tế bào quang. Các tế bào này được sử dụng trong các thiết bị phát hiện lửa, dùng cho máy đo độ phơi sáng của máy ảnh tự động, để đếm các đồ vật đang chuyển động, dùng trong các thiết bị đo chính xác tự động, trong các hệ thống mở cửa tự động.

(2) Các pin quang điện trực tiếp biến đổi ánh sáng thành năng lượng điện, mà không cần một nguồn cung cấp dòng điện từ bên ngoài. Các pin quang điện chế tạo từ selen thường được sử dụng chủ yếu trong các luxơ kế và các bộ đo độ phơi sáng. Các pin quang điện chế tạo từ silic có đầu ra cao hơn và đặc biệt sử dụng trong các thiết bị điều chỉnh và điều khiển, để phát hiện các xung ánh sáng trong các hệ thống truyền thông sử dụng cáp quang, v.v... Các loại tế bào quang điện đặc biệt:

(i) Các pin mặt trời, các tế bào quang điện silic biến đổi trực tiếp ánh sáng mặt trời thành năng lượng điện. Chúng thường sử dụng thành nhóm để cung cấp năng lượng cho các tên lửa hoặc các vệ tinh nghiên cứu không gian, cho các đài phát cấp cứu trên núi, v.v... Nhóm này cũng bao gồm các loại pin mặt trời, đã hoặc chưa lắp thành môdun hoặc lập thành bảng. Tuy nhiên nhóm này không bao gồm các bảng hoặc các môdun có gắn thiết bị, dù đơn giản (đi-ốt để chỉnh lưu dòng điện, chẳng hạn) cho phép cung cấp điện trực tiếp tới, ví dụ, một động cơ, một thiết bị điện phân (nhóm 85.01).

(ii) Các đi-ốt quang (gecmani, silic, v.v...), đặc trưng bởi sự thay đổi điện trở suất khi các tia sáng đập vào lớp tiếp giáp p-n của chúng. Các đi-ốt quang điện được sử dụng trong việc xử lý dữ liệu tự động (đọc các dữ liệu lưu trữ), làm catốt quang trong một số ống điện tử, trong các hỏa kế bức xạ, v.v.... Các tranzito quang và các thyritors quang thuộc về nhóm các thiết bị thu quang điện này. Khi được đóng vỏ, các thiết bị này được phân biệt với các đi-ốt, tranzito và thyritors thuộc phần A ở trên bởi vỏ của nó, vỏ này có một phần trong suốt để cho phép ánh sáng đi qua.

(iii) Các linh kiện ghép quang và các rơle quang, bao gồm các đi-ốt phát quang kết hợp với đi-ốt quang điện, tranzito quang hoặc thyritors quang. Các kinh kiện bán dẫn cảm quang thuộc nhóm này, dù đã lắp ráp, (nghĩa là đã có gắn các dây dẫn hoặc các cực), đã đóng vỏ hoặc chưa lắp ráp.

(C) CÁC ĐI-ỐT PHÁT QUANG (LED) Các đi-ốt phát quang (LED) hoặc đi-ốt quang điện (dựa trên, không kể những cái khác, axenua gali, phốtphua gali hoặc gallium nitrua) là những linh kiện biến đổi điện năng thành ánh sáng nhìn thấy được, tia hồng ngoại hoặc tia cực tím. Chúng thường được sử dụng, ví dụ để hiển thị hoặc truyền dữ liệu trong các hệ thống điều khiển hoặc cho các ứng dụng chiếu sáng và phát sáng. Các đi-ốt lade phát ra một chùm sáng kết hợp và được sử dụng, ví dụ, để dò tìm các phần tử hạt nhân, trong thiết bị đo độ cao hoặc đo xa, trong các hệ thống truyền thông bằng sợi quang. Nhóm này cũng bao gồm:

(1) Gói đi-ốt phát quang (LED) Đây là các linh kiện điện đơn lẻ chủ yếu bao bọc một hoặc nhiều chip (khuôn) điốt phát quang (LED) và có thể bao gồm các phần tử quang học và các giao diện nhiệt, cơ và điện (ví dụ, đầu nối điện bao gồm dây để kết nối với mạch điều khiển bên ngoài). Điốt bảo vệ (ví dụ, điốt Zener) có thể được kết nối song song với chip Điốt phát sáng (GaN LED) dựa trên Gallium-nitrua để bảo vệ chip LED GaN khỏi hiện tượng phóng tĩnh điện đối với một số gói đèn LED GaN. Có hai loại gói LED trắng cơ bản. Loại đầu tiên bao gồm sự kết hợp giữa (các) chip LED và vật liệu huỳnh quang (phospho). Loại gói LED trắng thứ hai bao gồm sự kết hợp của (các) chip LED màu đỏ, (các) chip LED màu xanh lá cây và (các) chip LED màu xanh lam. Gói LED trắng được sử dụng cho các ứng dụng chiếu sáng thông thường và đèn nền.

(2) Cụm đi-ốt phát quang (LED) Đây là các cụm bao gồm các gói điốt phát quang (LED) được gắn trên bảng mạch in, có thể bao gồm các phần tử quang học và các giao diện nhiệt, cơ và điện (ví dụ, đầu nối điện bao gồm dây để kết nối với mạch điều khiển bên ngoài). Các cụm LED không có mạch điều khiển loại cần thiết để điều chỉnh nguồn AC và điều khiển dòng điện DC để các điốt phát quang (LED) có thể sử dụng được. Số lượng các điốt phát quang (LED) không làm thay đổi chức năng của các điốt phát quang

(LED) mà chỉ góp phần vào cường độ ánh sáng. Một số cụm LED sử dụng chip LED thay vì gói LED. Các con chip được gắn trên một bảng mạch in và được bao phủ tổng thể hoặc từng phần, có thể với phospho.

(D) CÁC TINH THỂ ÁP ĐIỆN ĐÃ LẮP RÁP Đây chủ yếu là các bari titanat (bao gồm cả yếu tố đa tinh thể phân cực của bari titanat), chì zinconat tinanat hoặc các tinh thể khác thuộc nhóm 38.24 (xem Chú giải Chi tiết tương ứng), hoặc các tinh thể thạch anh hoặc tinh thể tuocmalin. Chúng được sử dụng trong các micro, loa, các thiết bị siêu âm, các mạch dao động có tần số ổn định, v.v... Chúng được xếp vào đây chỉ khi đã được lắp ráp. Thường chúng có dạng các tấm, thanh, đĩa, vòng, v.v... và ít nhất phải có các điện cực hoặc các chân nối điện. Chúng có thể được phủ graphit, vecni, v.v..., hoặc đặt trên giá đỡ và chúng thường được đặt trong một vỏ bọc (ví dụ, hộp kim loại, bóng thủy tinh v.v....) Tuy nhiên, nếu do bổ sung thêm các phần tử khác, một đối tượng hoàn chỉnh (được gắn thêm tinh thể) có thể không còn được xem thuần tuý là một tinh thể được lắp ráp nhưng lại trở thành một bộ phận đặc biệt có thể nhận biết được của một máy móc hoặc thiết bị, phần lắp ráp được phân loại như là bộ phận của máy thiết bị nếu đáp ứng: ví dụ, pin áp điện dùng cho micro hoặc loa (nhóm 85.18), đầu âm (nhóm 85.22), các phần tử thu thông tin (phần tử thăm dò) dùng cho các thiết bị đo độ dày hoặc công cụ phát hiện bằng siêu âm (thường được phân loại theo Chú giải 2(b) Chương 90 hoặc thuộc nhóm 90.33, tùy trường hợp cụ thể), bộ dao động bằng thạch anh dùng cho đồng hồ điện tử (nhóm 91.14). Nhóm này không bao gồm các tinh thể áp điện chưa lắp ráp (nói chung thuộc nhóm 38.24, 71.03 hoặc 71.04).

BỘ PHẬN

Theo quy tắc chung phân loại các bộ phận (xem Chú giải Tổng quát của Phần XVI), các bộ phận của sản phẩm thuộc nhóm này cũng được xếp vào đây. ***

Chú giải Phân nhóm.

Phân nhóm 8541.21 Tỷ lệ tiêu tán của một tranzito được đo bởi việc áp dụng một điện áp làm việc cụ thể đặt lên các thiết bị và đo công suất làm việc liên tục trong khi giới hạn nhiệt độ vỏ ở 25º C. Lấy ví dụ, nếu một tranzito có khả năng dẫn liên tục một dòng tải 0,2 A ở điện áp 5V trong khi duy trì nhiệt độ vỏ ở 25º C, thì mức độ tiêu tán là 1 W (Ampe x Vôn = Oát). Đối với các tranzito có các phương pháp tản nhiệt (ví dụ, một tab, một vỏ kim loại), nhiệt độ tham khảo ở 25° C là nhiệt độ ở đáy vỏ hoặc của vỏ, trong trường hợp của các tranzito khác (ví dụ, với vỏ bằng plastic) thì lấy ở nhiệt độ phòng.